DRAM是什麼?從原理到DDR5與AI應用全解析(2025最新懶人包)

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by cozychichi

11/18/2025

💾 一、什麼是 DRAM?簡單講給你聽

DRAM(Dynamic Random Access Memory,動態隨機存取記憶體)
是電腦、手機、伺服器最主要的主記憶體。它能快速暫存CPU所需資料,讓整體運算更順暢。

「動態」代表資料儲存在電容中,會隨時間流失,所以必須**不斷刷新(refresh)**才能保留資料。
因此,DRAM 屬於「揮發性記憶體」,一斷電資料就會消失。

📍簡單說:

DRAM 就是裝置的大腦暫存空間,讓資料可以即時被存取。

⚙️ 二、DRAM 的工作原理

每一個 DRAM 儲存單元由:

  • 🧩 電晶體(Transistor):控制資料流向

  • 電容(Capacitor):儲存電荷(1 或 0)

由於電容會漏電,必須不斷刷新資料,否則會遺失。
因此 DRAM 的速度、刷新率與功耗息息相關,也是技術進步的關鍵。

📚 三、DRAM 的主要種類與應用

類型 特點與應用

SDRAM 與 CPU 同步,取代早期非同步 DRAM。

DDR SDRAM 每時鐘週期傳兩次資料,速度翻倍。

DDR2 / DDR3 /

DDR4 / DDR5 頻寬提升、功耗下降、容量更大。

LPDDR

(Low Power DDR) 行動裝置專用,強調省電。

GDDR

(Graphics DDR) 顯示卡專用,高頻寬與高吞吐。

簡單區分:

  • 電腦/筆電:DDR 系列

  • 手機/平板:LPDDR 系列

  • 顯示卡:GDDR 系列

🚀 四、DDR4 與 DDR5 差在哪?

2025 年,DDR5 已逐漸取代 DDR4 成為主流。
以下表格幫你快速了解:

項目 DDR4 DDR5

頻率 1600–3200 MHz 4800–8400 MHz(更快)

電壓 1.2V 1.1V(更省電)

通道設計 單一 64-bit 雙 32-bit 通道

Bank Group 4 8

Burst Length 8 6(資料量翻倍)

效能提升 - 約高出50~100%

結論:DDR5 在速度、穩定度、省電性全面提升,特別適合 AI、伺服器與雲端運算環境。

🤖 五、DRAM 在 AI 晶片中的關鍵角色

AI 模型(如 ChatGPT、Stable Diffusion)需要大量運算與暫存空間。
而這正是 DRAM 與 HBM(高頻寬記憶體) 的戰場!

🔸 DRAM 在 AI 的用途

  • 暫存 AI 模型參數(Weights)

  • 儲存中間運算結果(Activations)

  • 提供 GPU / TPU 高速資料傳輸

🔸 高階記憶體技術

名稱 用途

HBM 疊層高頻寬記憶體,用於 AI 晶片

(High Bandwidth Memory)

LPDDR5X 手機 AI 用,兼顧省電與效能

CXL Memory CPU / GPU 共用記憶體的架構

📈 趨勢結論:

AI 越強,對 DRAM(特別是 HBM)的需求就越大。這是目前半導體產業最火熱的成長區。

🏭 六、全球 DRAM 三大巨頭與市場現況

目前 DRAM 幾乎被三家大廠壟斷:

廠商 市佔率優勢

三星電子(Samsung Electronics) 約45%, DDR5/HBM3 領導者

SK 海力士(SK Hynix) 約30%, 供應 NVIDIA AI 晶片用 HBM

美光科技(Micron Technology) 約20%, LPDDR5X、DDR5 技術先進

南亞科、華邦 小眾市場, 補充低容量與特殊應用

📊 七、DRAM 投資趨勢與市場觀察

🔹 景氣循環產業

DRAM 價格波動大,通常每 2~3 年一個週期。
供需、產能與新技術轉換會影響價格走勢。

🔹 成長動能(2025–2027 年)

  • AI 伺服器與 HBM 記憶體需求爆發

  • 車用電子(ADAS、自駕系統)崛起

  • 高階筆電、手機升級 DDR5 / LPDDR5X

  • 雲端資料中心擴建

🔹 投資觀察重點

  1. 記憶體現貨價

    如果按「利潤率從高到低」排序,大致上可為: HBM > 伺服器級 DDR5 > 傳統/消費級 DDR4/DDR5
    DDR4:隨著產能往 HBM、DDR5轉移,DDR4 的供應變得稀缺,一些報導指出 DDR4價格上漲,這能 改善其利潤空間。例如報導稱 DDR4的價格被推高。

    DDR5:在伺服器 DRAM領域,其利潤率可達約 50%。但在消費級/模組端可能較低。

    HBM:為目前記憶體製造商最優先配置產能的產品,不僅需求強、價格高,而且「每片晶圓利潤」被明確指出為高於傳統 DRAM。

  2. 三大廠資本支出(CAPEX)

  3. HBM3 → HBM4 技術進展

  4. AI 晶片需求量(NVIDIA、AMD、Intel)

🧩 八、未來技術方向:邁向 AI 時代的記憶體革命

技術 說明

3D DRAM 堆疊多層記憶體單元,提升密度

PIM(Processing-In-Memory) 記憶體內建運算功能,提升效率

CXL Memory Pooling 共享記憶體架構,提升伺服器效率

HBM4 / LPDDR6 下一代高頻寬記憶體,預計 2026–2027 年問世

🔮 AI、車用與雲端 將是推動 DRAM 技術進化的三大力量。

🪙 九、重點總結

項目 重點摘要

功能 電腦與行動裝置的主要記憶體

優勢 高容量、成本低、技術成熟

主流技術 DDR5、LPDDR5X、HBM3

領導廠商 三星、SK 海力士、美光

成長動能 AI、高效能運算、車用電子

投資關鍵 記憶體價格與供應鏈動態

📍 一句話總結:

DRAM 是半導體中最穩定又關鍵的基礎元件,AI 時代更讓它成為不可或缺的成長引擎。

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